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삼성전자 중국 시안 반도체 2기 라인 착공…김기남 “글로벌 IT시장에 기여”

김태근 기자 | 입력 : 2018/03/28 [12:00]

삼성전자가 3D V낸드 수요 증가에 대응하고자 중국 시안 반도체 사업장에 2기 라인을 건설한다.

 

삼성전자는 28일 오전 중국 산시성 시안시에서 후허핑 산시성 성위서기, 먀오웨이 공신부 부장, 류궈중 산시성 성장, 노영민 주중 한국대사, 이강국 주시안 총영사, 삼성전자 대표이사 김기남 사장 등이 참석한 가운데 삼성 중국 반도체 메모리 제2 라인 기공식을 했다고 28일 밝혔다.

 

삼성전자는 지난해 8월 시안 반도체 2기 라인 투자를 위해 산시성 정부와 MOU를 체결하고 앞으로 3년간 총 70억달러를 투자하기로 했다.

▲ 중국 시안 반도체 1기 라인 전경     © 운영자

 

 

삼성전자는 중국 시안에 반도체 2기 라인을 구축해 낸드플래시(V-NAND)를 필요로 하는 글로벌 IT 시장의 요구에 적극 대응하겠다는 방침이다.

 

김기남 삼성전자 사장은 시안 2기 라인의 성공적인 운영으로 최고의 메모리 반도체 제품 생산과 함께 차별화된 솔루션을 고객에게 제공해 글로벌 IT 시장 성장에 지속 기여하겠다고 강조했다.

 

이번 2기 투자로 낸드플래시 최대 수요처이자 글로벌 모바일, IT업체들의 생산기지가 집중된 중국시장에서 제조 경쟁력을 더욱 강화하고 중국 시장 요구에 보다 원활히 대응할 수 있을 것으로 삼성전자는 기대하고 있다.

 

산시성 성장 류궈중은 삼성 프로젝트 2기 착공을 축하한다. 산시성은 앞으로도 삼성과 그 협력사들의 발전을 지원하며 협력관계를 강화할 것이라고 밝혔다.

 

삼성전자 시안 반도체 사업장은 20121기 기공식을 시작으로 2013년 전자연구소 설립, 20141세대 V-NAND 양산과 2015년 후공정 라인 완공, 올해 2기 증설까지 꾸준한 투자를 하고 있다.

 


원본 기사 보기:시사코리아